锑化铟(InSb)砷化镓(GaAs)砷化铟(InAs)硅(Si)霍尔元件有什么区别如何选型?

锑化铟(InSb)砷化镓(GaAs)砷化铟(InAs)硅(Si)霍尔元件有什么区别如何选型?


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霍尔元件由不同的半导体薄膜材料组成:由锑化铟(InSb)制成的超灵敏霍尔元件,由砷化铟(InAs)制成的高灵敏度霍尔元件和由砷化镓(GaAs)制成的低漂移霍尔元件。但由于其灵敏度低,因此在表中所示的产品线中并未将其用作霍尔元件。硅(Si)是常见的霍尔元件材料之一,霍尔IC中使用硅。霍尔元件的灵敏度与半导体材料的迁移率成正比。温度特性受多种因素影响,但主要由带隙决定。

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表1列出了当前用作霍尔元件的主要半导体材料及其独特特性。

温度特性和输出电压的灵敏度因霍尔元件的材料而异。用户应选择适合其特定应用的霍尔元件。各种霍尔元素类型的特征如下:

・ InSb:在三种霍尔元件类型中最敏感。

・ GaAs:在三种霍尔元件类型中最稳定的温度特性。

・ InAs:该霍尔元件在灵敏度和温度特性之间具有良好的平衡。

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图显示了使用恒定电流驱动且控制电流相同(IC = 5mA)的3种霍尔元件的输出电压特性。

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图显示了使用恒定电压驱动且控制电压相同(VC = 1V)的三种霍尔元件的输出电压特性。


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